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STW22NM60N

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MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3

STW22NM60N Technisches Datenblatt

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STW22NM60N Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 16A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 220mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 44 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1330 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 125W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247-3
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

IRF737LCL
IRF737LCL
$0 $/Stück
IXFK52N30Q
IXFK52N30Q
$0 $/Stück
IRFR9120NTRL
SI7136DP-T1-GE3
IXTV230N085TS
IXTV230N085TS
$0 $/Stück
IRF7700TR
IRF6616TR1PBF

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