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STY60NM60

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MOSFET N-CH 600V 60A MAX247

STY60NM60 Technisches Datenblatt

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STY60NM60 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $20.84000 $20.84
30 $18.35667 $550.7001
120 $16.17367 $1940.8404
510 $14.38763 $7337.6913
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 60A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 55mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 266 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 7300 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 560W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket MAX247™
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

STL47N60M6
STL47N60M6
$0 $/Stück
FDA16N50
R6018JNJGTL
SIHP14N60E-BE3
FDS6670A
FDS6670A
$0 $/Stück
FQPF6N80T
IRLD110PBF
IRLD110PBF
$0 $/Stück

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