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HCT7000M

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HCT7000M

MOSFET N-CH 60V 200MA 3SMD

HCT7000M Technisches Datenblatt

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HCT7000M Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
100 $21.30010 $2130.01
38 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 200mA (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 5Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±40V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 60 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 300mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 3-SMD
Paket / Koffer 3-SMD, No Lead
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Zugehörige Teilenummer

PMN70XPEAX
PMN70XPEAX
$0 $/Stück
NVTFWS9D6P04M8LTAG
NVTFWS9D6P04M8LTAG
$0 $/Stück
IRFB4229PBF
NTD30N02T4G
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$0 $/Stück
FDB2614
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RSF015N06FRATL

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