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IRF530PBF

IRF530PBF

IRF530PBF

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB

IRF530PBF Technisches Datenblatt

nicht konform

IRF530PBF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.26000 $1.26
50 $1.01400 $50.7
100 $0.89130 $89.13
500 $0.69840 $349.2
1,000 $0.55808 -
2,500 $0.52300 -
5,000 $0.49844 -
16611 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 14A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 160mOhm @ 8.4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 26 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 670 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 88W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

BUK9Y153-100E,115
IRFR120NPBF
IXTA200N055T2-TRL
IXTA200N055T2-TRL
$0 $/Stück
SI7414DN-T1-E3
STD18N60M6
STD18N60M6
$0 $/Stück
PSMN1R8-30PL,127
SUP70090E-GE3
HUF75645P3
HUF75645P3
$0 $/Stück

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