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SI4330DY-T1-GE3

SI4330DY-T1-GE3

SI4330DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8-SOIC

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SI4330DY-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6.6A
rds ein (max) @ id, vgs 16.5mOhm @ 8.7A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 20nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
Leistung - max. 1.1W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
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Zugehörige Teilenummer

IRF7751GTRPBF
MCQ6005-TP
NTHD4102PT3G
NTHD4102PT3G
$0 $/Stück
SI4561DY-T1-GE3
SI5915DC-T1-E3
IRF7311PBF
SI4830ADY-T1-GE3
ECH8601M-TL-H
ECH8601M-TL-H
$0 $/Stück

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