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SI4967DY-T1-GE3

SI4967DY-T1-GE3

SI4967DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC

nicht konform

SI4967DY-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 12V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C -
rds ein (max) @ id, vgs 23mOhm @ 7.5A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 450mV @ 250µA (Min)
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 55nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
Leistung - max. 2W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
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Zugehörige Teilenummer

SIA936EDJ-T1-GE3
BSS84V-7-79
IRF7756GTRPBF
SI6544BDQ-T1-GE3
ZVN4206NTA
SI5943DU-T1-GE3
HIP2100IBTS2075
HIP2100IBTS2075
$0 $/Stück
FDC6036P
FDC6036P
$0 $/Stück

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