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SI5504DC-T1-GE3

SI5504DC-T1-GE3

SI5504DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8

nicht konform

SI5504DC-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N and P-Channel
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2.9A, 2.1A
rds ein (max) @ id, vgs 85mOhm @ 2.9A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA (Min)
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 7.5nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
Leistung - max. 1.1W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SMD, Flat Lead
Lieferantengerätepaket 1206-8 ChipFET™
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Zugehörige Teilenummer

ZXMC3A18DN8TA
NTMFD4C87NT3G
NTMFD4C87NT3G
$0 $/Stück
FDG6313N
FDG6313N
$0 $/Stück
BSL215PL6327
STL13DP10F6
SI4940DY-T1-E3
BSS84AKS/ZLX
IRF7343PBF

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