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SI6562DQ-T1-GE3

SI6562DQ-T1-GE3

SI6562DQ-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP

nicht konform

SI6562DQ-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N and P-Channel
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C -
rds ein (max) @ id, vgs 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 600mV @ 250µA (Min)
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 25nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
Leistung - max. 1W
Betriebstemperatur -
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-TSSOP
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Zugehörige Teilenummer

IRF5852
IRF5852
$0 $/Stück
SI1970DH-T1-GE3
FDD8426H
FDD8426H
$0 $/Stück
MCS8804-TP
FDS4559-F085
FDS4559-F085
$0 $/Stück
ZXMD63P03XTA
SI1033X-T1-GE3

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