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SI7112DN-T1-GE3

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SI7112DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK1212-8

nicht konform

SI7112DN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.76358 -
6,000 $0.72773 -
15,000 $0.70212 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 11.3A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 7.5mOhm @ 17.8A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 27 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2610 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.5W (Ta)
Betriebstemperatur -50°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8
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Zugehörige Teilenummer

R6511KNXC7G
BSS138
BSS138
$0 $/Stück
SUG90090E-GE3
RM20N650T2
RM20N650T2
$0 $/Stück
SCT040H65G3AG
SIHF9520S-GE3
FQPF6P25
2N7002WT1G
2N7002WT1G
$0 $/Stück

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