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SI7619DN-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 24A PPAK1212-8

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SI7619DN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.35595 -
6,000 $0.33285 -
15,000 $0.32130 -
30,000 $0.31500 -
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 24A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 21mOhm @ 10.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 50 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1350 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.5W (Ta), 27.8W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8
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Zugehörige Teilenummer

RM10N30D2
RM10N30D2
$0 $/Stück
FQB9N50TM
IRFB4127PBF
2V7002KT1G
2V7002KT1G
$0 $/Stück
DI040P04D1-AQ
FDZ7064S
NTE2371
NTE2371
$0 $/Stück

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