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SI7802DN-T1-E3

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SI7802DN-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 250V 1.24A PPAK

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SI7802DN-T1-E3 Preise und Bestellung

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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 250 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 1.24A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 435mOhm @ 1.95A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.6V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 21 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.5W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8
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Zugehörige Teilenummer

SI1067X-T1-GE3
FQD19N10TF
FQD19N10TF
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DKI10526
DKI10526
$0 $/Stück
STFI34NM60N
SUM90N06-5M5P-E3

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