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SIDR668ADP-T1-RE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 23.3A/104A PPAK

nicht konform

SIDR668ADP-T1-RE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.60000 $2.6
500 $2.574 $1287
1000 $2.548 $2548
1500 $2.522 $3783
2000 $2.496 $4992
2500 $2.47 $6175
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 23.3A (Ta), 104A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 7.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 4.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 81 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3750 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8DC
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

NVD14N03RT4G
NVD14N03RT4G
$0 $/Stück
NVMFS5C456NLWFAFT3G
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$0 $/Stück
NVTYS010N06CLTWG
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$0 $/Stück
R6020ENX
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$0 $/Stück
ZVP2106ASTZ
2SK2161
2SK2161
$0 $/Stück
SI4840BDY-T1-E3
ZVP2120GTA
SIHB30N60AEL-GE3
BUZ76A
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$0 $/Stück

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