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SIHA6N65E-GE3

SIHA6N65E-GE3

SIHA6N65E-GE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 650V

compliant

SIHA6N65E-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.14000 $2.14
500 $2.1186 $1059.3
1000 $2.0972 $2097.2
1500 $2.0758 $3113.7
2000 $2.0544 $4108.8
2500 $2.033 $5082.5
1000 items
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 7A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 600mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 48 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1640 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 31W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220 Full Pack
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

STP170N8F7
STP170N8F7
$0 $/Stück
VN0104N3-G
SIR688DP-T1-GE3
STL70N4LLF5
APT84F50L
FDPF44N25T
FDPF44N25T
$0 $/Stück
FQB25N33TM

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