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SIHB105N60EF-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK

nicht konform

SIHB105N60EF-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $4.01000 $4.01
500 $3.9699 $1984.95
1000 $3.9298 $3929.8
1500 $3.8897 $5834.55
2000 $3.8496 $7699.2
2500 $3.8095 $9523.75
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 29A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 102mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 53 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1804 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 208W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

SUD19N20-90-BE3
RM5N150S8
RM5N150S8
$0 $/Stück
CSD16322Q5C
CSD16322Q5C
$0 $/Stück
PSMN4R8-100BSEJ
2SK4120LS
2SK4120LS
$0 $/Stück
EPC2029
EPC2029
$0 $/Stück
SUP90220E-GE3
NX7002BKXB147
NX7002BKXB147
$0 $/Stück

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