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SIHB12N60E-GE3

SIHB12N60E-GE3

SIHB12N60E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK

nicht konform

SIHB12N60E-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.28000 $2.28
10 $2.06400 $20.64
100 $1.65830 $165.83
500 $1.28976 $644.88
1,000 $1.06865 -
2,500 $0.99495 -
5,000 $0.95810 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 380mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 58 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 937 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 147W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

NTLJS3113PTAG
NTLJS3113PTAG
$0 $/Stück
FDH50N50
IRFB3307PBF
DMTH6005LK3Q-13
STB85NF55T4
NTGS3455T1G
NTGS3455T1G
$0 $/Stück
NTHS5441T1
NTHS5441T1
$0 $/Stück
STW13NK100Z
DMN3730U-7
PSMN013-100BS,118

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