Welcome to ichome.com!

logo
Heim

SIHW30N60E-GE3

SIHW30N60E-GE3

SIHW30N60E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 29A TO247AD

nicht konform

SIHW30N60E-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $7.31000 $7.31
10 $6.55500 $65.55
100 $5.41650 $541.65
159 items
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 29A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 125mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 130 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2600 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 250W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AD
Paket / Koffer TO-3P-3 Full Pack
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

STD10N60M2
STD10N60M2
$0 $/Stück
IXFN32N100Q3
IXFN32N100Q3
$0 $/Stück
IRFP23N50LPBF
FQA38N30
SI4628DY-T1-GE3
SQJ431EP-T1_GE3
2N7002KA-TP

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.