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SIR580DP-T1-RE3

SIR580DP-T1-RE3

SIR580DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET

nicht konform

SIR580DP-T1-RE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.98000 $1.98
500 $1.9602 $980.1
1000 $1.9404 $1940.4
1500 $1.9206 $2880.9
2000 $1.9008 $3801.6
2500 $1.881 $4702.5
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 80 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 35.8A (Ta), 146A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 7.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.7mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 76 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4100 pF @ 40 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

RQ5E025SPTL
APT10M11JVFR
FDD1600N10ALZ
FDD1600N10ALZ
$0 $/Stück
NVMFS5C645NLWFAFT1G
NVMFS5C645NLWFAFT1G
$0 $/Stück
BUK6D72-30EX
NTMFS6B03NT3G
NTMFS6B03NT3G
$0 $/Stück

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