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SISS78LDN-T1-GE3

SISS78LDN-T1-GE3

SISS78LDN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 70V 19.4A/66.7A PPAK

compliant

SISS78LDN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.40000 $1.4
500 $1.386 $693
1000 $1.372 $1372
1500 $1.358 $2037
2000 $1.344 $2688
2500 $1.33 $3325
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 70 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 19.4A (Ta), 66.7A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 5.8mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 50 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2280 pF @ 35 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8SH
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8SH
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