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SQ4961EY-T1_GE3

SQ4961EY-T1_GE3

SQ4961EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET DUAL P-CHAN 60V SO8

nicht konform

SQ4961EY-T1_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.70848 -
5,000 $0.67522 -
12,500 $0.65146 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4.4A (Tc)
rds ein (max) @ id, vgs 85mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 40nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1140pF @ 25V
Leistung - max. 3.3W
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
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Zugehörige Teilenummer

NVMFD5C478NLWFT1G
NVMFD5C478NLWFT1G
$0 $/Stück
ZXMN3A04DN8TA
SQJQ904E-T1_GE3
DMN33D9LV-7
SI4943CDY-T1-E3
NTGD3148NT1G
NTGD3148NT1G
$0 $/Stück
NTTFD4D0N04HLTWG
NTTFD4D0N04HLTWG
$0 $/Stück
DMC3401LDW-7
CSD88537NDT
CSD88537NDT
$0 $/Stück

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