Welcome to ichome.com!

logo
Heim

SQR40N10-25_GE3

SQR40N10-25_GE3

SQR40N10-25_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 40A TO252 REV

nicht konform

SQR40N10-25_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,000 $1.03950 -
0 items
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 40A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 25mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 70 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3380 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 136W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252 (DPAK) Reverse Lead
Paket / Koffer TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab)
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

SIR4606DP-T1-GE3
RM35P100T2
RM35P100T2
$0 $/Stück
ATP113-TL-H
ATP113-TL-H
$0 $/Stück
APT20M45BVRG
BSP603S2LNT
FDA20N50F
FDA20N50F
$0 $/Stück
SCT4026DRHRC15
SI1469DH-T1-E3

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.