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SUM50010E-GE3

SUM50010E-GE3

SUM50010E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 150A TO263

nicht konform

SUM50010E-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $4.07000 $4.07
10 $3.63100 $36.31
100 $2.97730 $297.73
800 $2.17850 $1742.8
1,600 $2.03326 -
3,200 $1.93160 -
5 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 150A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 7.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.75mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 212 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 10895 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 375W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263 (D²Pak)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

SIHB22N60E-E3
AUIRL3705ZS
IXFT24N80P
IXFT24N80P
$0 $/Stück
SI7812DN-T1-E3
ZXMN6A11ZTA
PSMN028-100YS,115
IRL620PBF
IRL620PBF
$0 $/Stück
NTLUS4C16NTBG
NTLUS4C16NTBG
$0 $/Stück
IRF9530NPBF

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