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WNSC101200CWQ

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SILICON CARBIDE POWER DIODE

nicht konform

WNSC101200CWQ Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $6.65888 $6.65888
500 $6.5922912 $3296.1456
1000 $6.5257024 $6525.7024
1500 $6.4591136 $9688.6704
2000 $6.3925248 $12785.0496
2500 $6.325936 $15814.84
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
Diodentyp Silicon Carbide Schottky
Spannung - Gleichstromrückwärts (VR) (max.) 1200 V
Strom - gleichgerichteter Durchschnitt (io) 10A
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if 1.6 V @ 5 A
Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io)
Sperrverzögerungszeit (trr) 0 ns
Strom - Rückwärtsleckage @ vr 50 µA @ 1200 V
Kapazität @ vr, f 250pF @ 1V, 1MHz
Montageart Through Hole
Paket / Koffer TO-247-3
Lieferantengerätepaket TO-247-3
Betriebstemperatur - Kontaktstelle 175°C (Max)
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Zugehörige Teilenummer

RL103GP-TP
1N2283R
1N2283R
$0 $/Stück
JAN1N1616R
MBR8080R
R2560
R2560
$0 $/Stück
CD6857
CD6857
$0 $/Stück
1N5807URS
LSM315G/TR13
CDLL5819/TR

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