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ALD1101PAL

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MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

ALD1101PAL Technisches Datenblatt

compliant

ALD1101PAL Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $6.22000 $6.22
50 $4.99500 $249.75
100 $4.55100 $455.1
500 $3.68520 $1842.6
1,000 $3.10800 -
279 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 10.6V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C -
rds ein (max) @ id, vgs 75Ohm @ 5V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 10µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
Leistung - max. 500mW
Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TJ)
Montageart Through Hole
Paket / Koffer 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Lieferantengerätepaket 8-PDIP
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Zugehörige Teilenummer

SIA537EDJ-T1-GE3
EFC4618R-P-TR
EFC4618R-P-TR
$0 $/Stück
NVMFD5C466NT1G
NVMFD5C466NT1G
$0 $/Stück
FDME1034CZT
FDME1034CZT
$0 $/Stück
SI4936ADY-T1-GE3
NVJD5121NT1G
NVJD5121NT1G
$0 $/Stück
DMP2090UFDB-13

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