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ALD1108EPCL

ALD1108EPCL

ALD1108EPCL

MOSFET 4N-CH 10V 16DIP

ALD1108EPCL Technisches Datenblatt

compliant

ALD1108EPCL Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
50 $5.04000 $252
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 4 N-Channel, Matched Pair
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 10V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C -
rds ein (max) @ id, vgs 500Ohm @ 5V
vgs(th) (max) @ ID 1.01V @ 1µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 25pF @ 5V
Leistung - max. 600mW
Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TJ)
Montageart Through Hole
Paket / Koffer 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Lieferantengerätepaket 16-PDIP
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Zugehörige Teilenummer

SI7946DP-T1-E3
IRF7752TR
NTMFD4901NFT3G
NTMFD4901NFT3G
$0 $/Stück
SI4565ADY-T1-E3
SI4974DY-T1-E3
IRF9956
IRF9956
$0 $/Stück
DMN2040LSD-13
SI5513DC-T1-E3

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