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AOB15S60L

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MOSFET N-CH 600V 15A TO263

AOB15S60L Technisches Datenblatt

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AOB15S60L Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
800 $1.37250 $1098
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 15A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 290mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.8V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 15.6 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 717 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 208W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263 (D2Pak)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

FQA36P15
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$0 $/Stück
IXTA06N120P-TRL
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IRFBC40LPBF
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SQM120P10_10M1LGE3
IRF9335TRPBF
FDC658AP
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SI3404-TP
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IRF3805PBF
SQJA04EP-T1_GE3

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