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AOB66616L

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MOSFET N-CH 60V 38.5A/140A TO263

AOB66616L Technisches Datenblatt

nicht konform

AOB66616L Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.53000 $2.53
500 $2.5047 $1252.35
1000 $2.4794 $2479.4
1500 $2.4541 $3681.15
2000 $2.4288 $4857.6
2500 $2.4035 $6008.75
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 38.5A (Ta), 140A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3.2mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 60 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2870 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 8.3W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263 (D2Pak)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

SIR4608LDP-T1-GE3
NVTFWS004N04CTAG
NVTFWS004N04CTAG
$0 $/Stück
SQ4850EY-T1_GE3
IXFP220N06T3
IXFP220N06T3
$0 $/Stück
PSMN4R0-40YS,115
DMN2004WK-7
CSD16321Q5T
CSD16321Q5T
$0 $/Stück
IPI65R150CFD
STH310N10F7-6

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