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AOD1N60

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MOSFET N-CH 600V 1.3A TO252

AOD1N60 Technisches Datenblatt

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AOD1N60 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.19440 -
5,000 $0.18360 -
12,500 $0.17820 -
170468 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 1.3A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 9Ohm @ 650mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 8 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 160 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 45W (Tc)
Betriebstemperatur -50°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252 (DPAK)
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

FDPF16N50
FDPF16N50
$0 $/Stück
FQU8P10TU
FQU8P10TU
$0 $/Stück
NTD80N02T4
NTD80N02T4
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CSD18533Q5A
CSD18533Q5A
$0 $/Stück
SQM40020EL_GE3
FDU2572
SI1317DL-T1-GE3

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