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AOI1N60

AOI1N60

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MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251A

AOI1N60 Technisches Datenblatt

compliant

AOI1N60 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 1.3A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 9Ohm @ 650mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 8 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 160 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 45W (Tc)
Betriebstemperatur -50°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-251A
Paket / Koffer TO-251-3 Stub Leads, IPak
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Zugehörige Teilenummer

IRF6655TR1PBF
IRF730S
IRF730S
$0 $/Stück
GA04JT17-247
ECH8601M-C-TL-HX
ECH8601M-C-TL-HX
$0 $/Stück
IRF7822TRPBF
NTMFS4941NT3G
NTMFS4941NT3G
$0 $/Stück
IRFL110TR
IRFL110TR
$0 $/Stück
SI1431DH-T1-GE3

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