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AOI360A70

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AOI360A70

MOSFET N-CH 700V 12A TO251A

AOI360A70 Technisches Datenblatt

compliant

AOI360A70 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.88800 $0.888
500 $0.87912 $439.56
1000 $0.87024 $870.24
1500 $0.86136 $1292.04
2000 $0.85248 $1704.96
2500 $0.8436 $2109
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 700 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 360mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 22.5 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1360 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 138W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-251A
Paket / Koffer TO-251-3 Stub Leads, IPak
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