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AOI530

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MOSFET N-CH 30V 23A/70A TO251A

AOI530 Technisches Datenblatt

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AOI530 Preise und Bestellung

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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 23A (Ta), 70A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.7mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 62 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3130 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-251A
Paket / Koffer TO-251-3 Stub Leads, IPak
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Zugehörige Teilenummer

CMS40N03V8-HF
FDI045N10A
FDD10AN06A0-F085
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NTB85N03
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$0 $/Stück
NTD12N10-1G
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CPH6341-TL-E
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