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AON6576

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MOSFET N-CH 30V 26A/32A 8DFN

AON6576 Technisches Datenblatt

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AON6576 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.21960 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 26A (Ta), 32A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 4.7mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 27 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1320 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 5W (Ta), 26W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-DFN (5x6)
Paket / Koffer 8-PowerSMD, Flat Leads
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Zugehörige Teilenummer

PSMN7R8-120ESQ
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PMV65XPVL
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FCP110N65F
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CSD18501Q5A
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STF3NK80Z
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STL8NH3LL
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