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AON6912A

AON6912A

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MOSFET 2N-CH 30V 10A/13.8A 8DFN

AON6912A Technisches Datenblatt

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AON6912A Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.40800 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 10A, 13.8A
rds ein (max) @ id, vgs 13.7mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 17nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 910pF @ 15V
Leistung - max. 1.9W, 2.1W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
Lieferantengerätepaket 8-DFN (5x6)
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Zugehörige Teilenummer

RM3134
RM3134
$0 $/Stück
SQJB40EP-T1_BE3
DMN2024UVTQ-13
NTZD3152PT1G
NTZD3152PT1G
$0 $/Stück
APTM10HM05FG
BUK7V4R2-40HX
SIZ980DT-T1-GE3
DMN62D4LDW-7
SH8K1TB1
SH8K1TB1
$0 $/Stück

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