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AON7932_101

AON7932_101

AON7932_101

MOSFET 2N-CH 30V 6.6A/8.1A 8DFN

AON7932_101 Technisches Datenblatt

compliant

AON7932_101 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6.6A, 8.1A
rds ein (max) @ id, vgs 20mOhm @ 6.6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 6.5nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 460pF @ 15V
Leistung - max. 1.4W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-WDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket 8-DFN-EP (3x3)
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Zugehörige Teilenummer

NTMD2C02R2
NTMD2C02R2
$0 $/Stück
SI5944DU-T1-GE3
US5K3TR
US5K3TR
$0 $/Stück
SH8K5TB1
SH8K5TB1
$0 $/Stück
SIZ700DT-T1-GE3
FDS9958-F085
FDS9958-F085
$0 $/Stück

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