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AOP609

AOP609

AOP609

MOSFET N/P-CH 60V 8DIP

AOP609 Technisches Datenblatt

compliant

AOP609 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N and P-Channel
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C -
rds ein (max) @ id, vgs 60mOhm @ 4.7A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 7nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 570pF @ 30V
Leistung - max. 2.5W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Paket / Koffer 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Lieferantengerätepaket 8-PDIP
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Zugehörige Teilenummer

IRF7504TR
SP8K3TB
SP8K3TB
$0 $/Stück
FDG6301N-F085P
FDG6301N-F085P
$0 $/Stück
SIA513DJ-T1-GE3
SI3905DV-T1-GE3
IRF7752GTRPBF
SI6562DQ-T1-E3

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