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AOSD62666E

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AOSD62666E

MOSFET 2 N-CH 60V 9.5A 8SOIC

AOSD62666E Technisches Datenblatt

compliant

AOSD62666E Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.45870 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 9.5A (Ta)
rds ein (max) @ id, vgs 14.5mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 10nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 755pF @ 30V
Leistung - max. 2.5W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
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Zugehörige Teilenummer

DMC2710UDW-7
IRF8915TRPBF
FDY1002PZ
FDY1002PZ
$0 $/Stück
SI7234DP-T1-GE3
NTJD4152PT2G
NTJD4152PT2G
$0 $/Stück
2N7002DW
2N7002DW
$0 $/Stück
APTM100A13SG
BUK9K25-40RAX

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