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AOT12N30L

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MOSFET N CH 300V 11.5A TO220

AOT12N30L Technisches Datenblatt

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AOT12N30L Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $0.52850 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 300 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 11.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 420mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 16 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 790 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 132W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

FDU8770
APT1201R4BFLLG
SI4431BDY-T1-GE3
IXFR64N50P
IXFR64N50P
$0 $/Stück
RM150N100HD
RM150N100HD
$0 $/Stück
ZXMN3A01E6TA
IXFH140N10P
IXFH140N10P
$0 $/Stück
SUP70060E-GE3
IXTH6N100D2
IXTH6N100D2
$0 $/Stück
CSD25484F4T
CSD25484F4T
$0 $/Stück

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