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AOT600A60L

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MOSFET N-CH 600V 8A TO220

AOT600A60L Technisches Datenblatt

nicht konform

AOT600A60L Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.84056 $0.84056
500 $0.8321544 $416.0772
1000 $0.8237488 $823.7488
1500 $0.8153432 $1223.0148
2000 $0.8069376 $1613.8752
2500 $0.798532 $1996.33
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 8A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 600mOhm @ 2.1A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 11.5 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 608 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 27.5W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

FDBL86062-F085
FDBL86062-F085
$0 $/Stück
SIHB22N65E-GE3
5LP01SS-TL-H
5LP01SS-TL-H
$0 $/Stück
SI7113DN-T1-E3
NTLUS4195PZTAG
NTLUS4195PZTAG
$0 $/Stück
SI4436DY-T1-GE3

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