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AOT66613L

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MOSFET N-CH 60V 44.5A/120A TO220

AOT66613L Technisches Datenblatt

compliant

AOT66613L Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.67860 $1.6786
500 $1.661814 $830.907
1000 $1.645028 $1645.028
1500 $1.628242 $2442.363
2000 $1.611456 $3222.912
2500 $1.59467 $3986.675
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 44.5A (Ta), 120A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 8V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 110 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5300 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 8.3W (Ta), 260W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

BUK7631-100E,118
BUK7631-100E,118
$0 $/Stück
FDMC86184
FDMC86184
$0 $/Stück
IRF6717MTRPBF
DMT10H009SK3-13
BSC152N10NSFG
STP11NM60FDFP
PMPB15XPAX
PMPB15XPAX
$0 $/Stück
NTTFS4965NFTAG
NTTFS4965NFTAG
$0 $/Stück

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