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AOT66616L

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MOSFET N-CH 60V 38.5A/140A TO220

AOT66616L Technisches Datenblatt

nicht konform

AOT66616L Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.56788 $1.56788
500 $1.5522012 $776.1006
1000 $1.5365224 $1536.5224
1500 $1.5208436 $2281.2654
2000 $1.5051648 $3010.3296
2500 $1.489486 $3723.715
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 38.5A (Ta), 140A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3.2mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 60 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2870 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 8.3W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

IXFR20N120P
IXFR20N120P
$0 $/Stück
G2R120MT33J
SSN1N45BBU
SCT3080KRC14
SIDR870ADP-T1-RE3
IRL540PBF-BE3
PMT760EN,115
PMT760EN,115
$0 $/Stück
MCH6321-TL-E
MCH6321-TL-E
$0 $/Stück

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