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AOT7S60L

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MOSFET N-CH 600V 7A TO220

AOT7S60L Technisches Datenblatt

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AOT7S60L Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $0.85750 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 7A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 600mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.9V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 8.2 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 372 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 104W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

STB57N65M5
STB57N65M5
$0 $/Stück
IXFK44N80P
IXFK44N80P
$0 $/Stück
IPD03N03LA G
FQAF6N80
SIHA21N60EF-E3
DMP3105LVT-7
SI4774DY-T1-GE3
SI8851EDB-T2-E1

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