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AOTF10N60

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MOSFET N-CH 600V 10A TO220-3F

AOTF10N60 Technisches Datenblatt

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AOTF10N60 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $0.75600 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 10A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 750mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 40 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1600 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 50W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

2SK4099LS-1E
2SK4099LS-1E
$0 $/Stück
FDS6692A
FDS6692A
$0 $/Stück
STD6NK50ZT4
FDBL9401-F085T6
FDBL9401-F085T6
$0 $/Stück
NTD4863NT4G
NTD4863NT4G
$0 $/Stück
IRL620STRLPBF
RM138
RM138
$0 $/Stück
STP10NK70Z
STP10NK70Z
$0 $/Stück
HUF76409D3

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