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AOTF12N30

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MOSFET N-CH 300V 11.5A TO220-3F

AOTF12N30 Technisches Datenblatt

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AOTF12N30 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $0.47250 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 300 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 11.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 420mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 16 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 790 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 36W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

ZXMN6A08GQTA
NTRV4101PT1G
NTRV4101PT1G
$0 $/Stück
FQI17N08LTU
IRFSL3107PBF
DMN3021LFDF-7
STF7N52K3
STF7N52K3
$0 $/Stück
FDMT80060DC
FDMT80060DC
$0 $/Stück

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