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AOTF6N90

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MOSFET N-CH 900V 6A TO220-3F

AOTF6N90 Technisches Datenblatt

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AOTF6N90 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $0.72660 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 900 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.2Ohm @ 3A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 35 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1450 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 50W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

NTS4409NT1G
NTS4409NT1G
$0 $/Stück
AUIRFS3004TRL
IRFP3206PBF
FDPF8D5N10C
FDPF8D5N10C
$0 $/Stück
SI3134KL3-TP
DMN67D7L-13
FCP290N80
FCP290N80
$0 $/Stück
IXFK120N25P
IXFK120N25P
$0 $/Stück

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