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AOTF7N60

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MOSFET N-CH 600V 7A TO220-3F

AOTF7N60 Technisches Datenblatt

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AOTF7N60 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $0.51450 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 7A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.2Ohm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 28 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1035 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 38.5W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

SIR512DP-T1-RE3
PXP011-20QXJ
BUK9E2R3-40E,127
BUK9E2R3-40E,127
$0 $/Stück
FQPF9N50T
SI2301BDS-T1-GE3
PHB110NQ08T,118
PHB110NQ08T,118
$0 $/Stück

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