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AOTF8N80

AOTF8N80

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MOSFET N-CH 800V 7.4A TO220-3F

AOTF8N80 Technisches Datenblatt

compliant

AOTF8N80 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $0.93636 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 7.4A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.63Ohm @ 4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 32 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1650 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 50W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

AUIRFS6535TRL
RX3L07BGNC16
SI4174DY-T1-GE3
IRFR9110TRRPBF
STB80NF10T4
NTMFS5844NLT1G
NTMFS5844NLT1G
$0 $/Stück
NVTFS5C453NLWFTAG
NVTFS5C453NLWFTAG
$0 $/Stück
PMN40ENAX
PMN40ENAX
$0 $/Stück

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