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AOTF9N70

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MOSFET N-CH 700V 9A TO220-3F

AOTF9N70 Technisches Datenblatt

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AOTF9N70 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $0.68880 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 700 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 9A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.2Ohm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 35 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1630 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 50W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

RM80N100AT2
RM80N100AT2
$0 $/Stück
DMN2011UFDF-13
IRFP064NPBF
SCT3022ALHRC11
APT5024BLLG
CSD18504Q5A
CSD18504Q5A
$0 $/Stück
BUK9M156-100EX
DMP2040UFDF-13

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