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AOUS66416

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MOSFET N-CH 40V 33A/69A ULTRASO8

AOUS66416 Technisches Datenblatt

nicht konform

AOUS66416 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.44000 $1.44
500 $1.4256 $712.8
1000 $1.4112 $1411.2
1500 $1.3968 $2095.2
2000 $1.3824 $2764.8
2500 $1.368 $3420
2590 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 33A (Ta), 69A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3.3mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 50 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2575 pF @ 20 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 6.2W (Ta), 73.5W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket UltraSO-8™
Paket / Koffer 3-PowerSMD, Flat Leads
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Zugehörige Teilenummer

SI4431CDY-T1-E3
SI4447DY-T1-E3
IXTR90P20P
IXTR90P20P
$0 $/Stück
SIR662DP-T1-GE3
FDB4030L
IXFK32N100Q3
IXFK32N100Q3
$0 $/Stück
CSD17577Q5AT
RS1E281BNTB1
TN2106N3-G

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