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BLA0912-250R

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BLA0912-250R

BLA0912-250R

Ampleon USA Inc.

OXIDE SEMICONDUCTOR FET

BLA0912-250R Technisches Datenblatt

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BLA0912-250R Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
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500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Active
Transistortyp LDMOS
Frequenz 960MHz ~ 1.215GHz
gewinnen 13dB
Spannungsprüfung 36 V
Nennstrom (Ampere) 1µA
Rauschzahl -
aktuell - test 150 mA
Leistung - Leistung 250W
Spannung - Nenn 75 V
Paket / Koffer SOT-502A
Lieferantengerätepaket SOT502A
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Zugehörige Teilenummer

BF1108R,215
NXP USA Inc.
BF1108R,215
$0 $/Stück
BLM7G22S-60PBGY
Ampleon USA Inc.
BLM7G22S-60PBGY
$0 $/Stück
BLF7G27L-75P,112
Ampleon USA Inc.
BLF7G27L-75P,112
$0 $/Stück
BLC8G24LS-240AVY
Ampleon USA Inc.
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$0 $/Stück
MRF7S35120HSR3
NXP USA Inc.
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$0 $/Stück
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