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BLA1011-200

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Ampleon USA Inc.

OXIDE SEMICONDUCTOR FET

BLA1011-200 Technisches Datenblatt

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BLA1011-200 Preise und Bestellung

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1000 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Active
Transistortyp LDMOS
Frequenz 1.03GHz ~ 1.09GHz
gewinnen 13dB
Spannungsprüfung 36 V
Nennstrom (Ampere) 1µA
Rauschzahl -
aktuell - test 150 mA
Leistung - Leistung 200W
Spannung - Nenn 75 V
Paket / Koffer SOT-502A
Lieferantengerätepaket SOT502A
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Zugehörige Teilenummer

BF1108R,235
NXP USA Inc.
BF1108R,235
$0 $/Stück
MRF8S19140HSR5
NXP USA Inc.
MRF8S19140HSR5
$0 $/Stück
MCH6655-TL-E
onsemi
MCH6655-TL-E
$0 $/Stück
PTFA041501GL V1 R250
Infineon Technologies
PTFA041501GL V1 R250
$0 $/Stück
PTRA093302FC-V1-R2
Wolfspeed, Inc.
PTRA093302FC-V1-R2
$0 $/Stück
BF1207,115
NXP USA Inc.
BF1207,115
$0 $/Stück
MRF8S26120HSR3
NXP USA Inc.
MRF8S26120HSR3
$0 $/Stück
MRF6S19060GNR1
NXP USA Inc.
MRF6S19060GNR1
$0 $/Stück
MHT1006NT1
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$0 $/Stück
MRF6S21140HR3
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MRF6S21140HR3
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