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| Name | Wert |
|---|---|
| Produktstatus | Obsolete |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 12V |
| Frequenz - Übergang | 8GHz |
| Rauschmaß (db typ @ f) | 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz |
| gewinnen | 10dB ~ 18dB |
| Leistung - max. | 500mW |
| Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce | 30 @ 10mA, 8V |
| Strom - Kollektor (ic) (max) | 60mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montageart | Surface Mount |
| Paket / Koffer | 4-SMD (35 micro-X) |
| Lieferantengerätepaket | 35 micro-X |
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